霍爾效應測試系統HEMS
適用范圍： GaAS based materials (HEMSTs,pHEMTs,HBTs,FETs,MESFETs), lnP, InAs, GaN and AIN, Si, Ge, SiC, HgCdTd, ZnO, SiGe, MnGaAS, ZnO, 紅外應用(LED, laser diodes, detectors), 金屬氧化物, 有機材料, 無機材料, 鐵氧體等。
全球首個155mm高頻專用探針臺，專為高達1.5THz或更高的mmW和THz晶圓上測量而設計；
無縫集成任何高達1.5THz的帶 差分或寬帶擴頻器；最大的機械穩定性和可重復性，結合方便和安全的操作；
適用范圍： GaAS based materials (HEMSTs,pHEMTs,HBTs,FETs,MESFETs), lnP, InAs, GaN and AIN, Si, Ge, SiC, HgCdTd, ZnO, SiGe, MnGaAS, ZnO, 紅外應用(LED, laser diodes, detectors), 金屬氧化物, 有機材料, 無機材料, 鐵氧體等。
• 遷移率測試
• DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs
• AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs
• 載流子濃度測試
• 電阻率測試
• 電阻測量
• 低電阻范圍 1uohm to 1Mohm
• 寬電阻范圍 1uohm to 100Gohm
• 高電阻范圍 1ohm to 100Gohm
• 范德堡法測試范圍
• 霍爾巴法測試
• 可更換極帽
• 標準25mm
• 在0-130mm間距連續可調
• 更大極帽直徑可選,50mm,75mm
• ±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface
• ±35V, ±70A電源
• 磁場>±IT@25mmpolegap
• 線圈電阻: 0.5 ? (20°C)
• 水冷
• 低溫 3K-300K
• 高溫300K-1273K
• 磁場掃描采用集成高斯計
• 磁場校準采用霍爾探頭
• 高靈敏度的磁場測量
• 所有參數可通過軟件控制
• 4,6 or8范德堡或霍爾巴測試設計
• 易于樣品安裝與彈簧連接
• 5mmx5mm樣品大小(提供更大選件)
• 多個樣品安裝
• 使用我們軟件可逐層的進行遷移率分析
• 基于C# 的全自動軟件分析
• 非常寬的溫度測試范圍,3-1,300K
• 采用高斯計進行磁場的控制
• 非常容易的進行范德堡霍爾巴方法樣品測試
• 提供軟件終生升級
上海市松江區廣富林東路199號啟迪漕河涇三期13幢2層
上海市高新技術企業，上海市“專精特新”企業
COPYRIGHT 2017-2022 ? 英鉑科學儀器（上海）有限公司 ALLRIGHT RESERVED 備案號：滬ICP備18025555號-2 XML地圖