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    產品中心

    霍爾效應測試系統HEMS

    適用范圍: GaAS based materials (HEMSTs,pHEMTs,HBTs,FETs,MESFETs), lnP, InAs, GaN and AIN, Si, Ge, SiC, HgCdTd, ZnO, SiGe, MnGaAS, ZnO, 紅外應用(LED, laser diodes, detectors), 金屬氧化物, 有機材料, 無機材料, 鐵氧體等。

    特點與優勢

    • 主要技術指標

       

      測量包括:

      •   遷移率測試

      •   DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs

      •   AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs

      •   載流子濃度測試

      •   電阻率測試

      •   電阻測量

      •   低電阻范圍 1uohm to 1Mohm

      •   寬電阻范圍 1uohm to 100Gohm

      •   高電阻范圍 1ohm to 100Gohm

      •   范德堡法測試范圍

      •   霍爾巴法測試

       

      磁極帽:

      •   可更換極帽

      •   標準25mm

      •   在0-130mm間距連續可調

      •   更大極帽直徑可選,50mm,75mm

       

      電磁鐵:

      •   ±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface

      •   ±35V, ±70A電源

      •   磁場>±IT@25mmpolegap

      •   線圈電阻: 0.5 ? (20°C)

      •   水冷

    •  

       

       

      溫度選項:

      •   低溫 3K-300K

      •   高溫300K-1273K

       

      納米磁學高斯計:

      •   磁場掃描采用集成高斯計

      •   磁場校準采用霍爾探頭

      •   高靈敏度的磁場測量

      •   所有參數可通過軟件控制

       

       

      樣品架:

      •   4,6 or8范德堡或霍爾巴測試設計

      •   易于樣品安裝與彈簧連接

      •   5mmx5mm樣品大小(提供更大選件)

      •   多個樣品安裝

       

       

      控制器和軟件:

      •   使用我們軟件可逐層的進行遷移率分析

      •   基于C# 的全自動軟件分析

      •   非常寬的溫度測試范圍,3-1,300K

      •   采用高斯計進行磁場的控制

      •   非常容易的進行范德堡霍爾巴方法樣品測試

      •   提供軟件終生升級

       
    •  

       

       

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